<基礎コース> 最近の技術・開発動向を交えながら具体的にわかり易く解!!

マイクロ波増幅器高効率・低ひずみ化設計法

無線通信機器、携帯端末、基地局装置の高性能、小型、低電力、低価格化を大幅に実現する画期的な増幅器が相次!!

■日時 7月23日(水)     ■会場 メディアボックス会議室     ■受講料 1名につき 39,000円

10:00〜16:45      東京都新宿区西新宿1-9-18       (消費税込み、テキスト・昼食代含む)

 

●講師

     電気通信大学

     情報通信工学科

     教授

     工学博士

 

    本城 和彦

 

【経歴・活動】

1976年3月、東工大大学院修士課程了。同年4月、日本電気鞄社。同社マイクロ

エレクトロニクス研究所研究課長、超高速エレクトロニクス研究部長、システムデバイ

ス基礎研究本部主席研究員を歴任。2001年4月より、電気通信大学情報通信工学

科教授、現在に至る。

aAsFET高出力増幅器、GaAsMMIC、HBTデバイスプロセス、HBTのマイクロ

波ミリ波応用、UWB用超広帯域自己補対アンテナ・フィルタ、FDTD法による電磁

界・半導体同時シミュレーション技術、マイクロ波能動・受動素子の高精度モデリング

に関する研究などに従事。

1983年および1988年にIEEEよりMTT-S Microwave Prizeを各受賞。1997年

よりIEEE ellow. 1997年から2003年までIEEE MTT-Sの理事、Transnational

ommittee Chairを歴任。

       【講師のお言葉】

       マイクロ波増幅器は携帯電話やワイヤレスLANで代表される無線システムのみならず、レーダなどのリモ

       ートセンシングシステムや産業用マイクロ波電力応用システムにおいて重要な位置を占めている。このよう

       なマイクロ波増幅器は高効率を保った状態で高出力化することが重要であるが、特に近年はデジタル無線

       システムの進展により、低ひずみ特性が併せて要求されている。

       このようなマイクロ波増幅器を理解し、発展させるためには使用するマイクロ波トランジスタの性質をよく理解

       し、精度良くモデリングすることが第一歩で、続いてこれらトランジスタの能力を最大限引き出す構成の回路

       を工夫し、高出力、高効率、低ひずみ化を達成していくことが必要である。

       本講座では、これらの技術の背景と基礎ならびにその展開について分りやすく解説する。

      

           1.マイクロ波トランジスタの原理

                (1) GaAs FET HEMT

                (2) HBT

                (3) SiMOS

           2.小信号トランジスタモデルとその性質

                (1) 等価回路とyパラメータ表現

                (2) 各種電力利得の定義

                (3) fとfmax

                (4) 中和とメイソンのU

           3.安定性の判別

                (1) Kファクタ法

                (2) 帯域外発振

                (3) 奇モードループ発振

           4.大信号等価回路モデルとその性質

                (1) tanh関数によるIV特性表現

                (2) 大信号キャパシタンスモデル

           5.マイクロ波高出力増幅器の構成

                (1) GaNの台頭

                (2) HIC構成の実例

                (3) MMIC構成の実例

                (4) モジュール構成の実例

           6.マイクロ波増幅器の高効率化

                (1) ロードプル・ソースプル

                (2) 動的負荷線と電流電圧波形

                (3) A,B,C級増幅器

                (4) D,E,F級増幅器

                (5) ドハーティ増幅器

                (6) LINC方式増幅器

           7.相互変調ひずみの発生と抑制

                (1) ひずみ発生メカニズム

                (2) 電気メモリ効果

                (3) 熱メモリ効果

                (4) メモリ効果の表現と抑制

           8.開発の実例

                (1) 高調波処理による高効率化

                (2) 高耐圧化による高出力化

                (3) 多セル化による高出力化

                (4) 熱分布の安定化

           9.電磁界・半導体同時解析技術によるモジュール設計

                (1) 60GHz帯増幅器モジュール

                (2) GaNHEMTの電極構造最適化

                                 〈質疑応答〉

 

 

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