機器・装置の大幅な省エネ､小型軽量化を実現する画期的な新技術､新製品の開発相次ぐ！！
実用期を迎えたＧａＮパワーデバイス
の開発・技術動向と応用及び今後の展開
★Ｓｉパワーデバイスに比べて､大幅な低損失､高効率､高耐圧､高温動作を可能にする次世代の本命として期待が高まる！！
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■日時 １２月１５日(木) ■会場 メディアボックス会議室 ■受講料 1名につき 39,000円 9：40～17：00 （東京都新宿区西新宿1-9-18） （消費税込み､テキスト代含む） 昼食弁当付（サービス） |
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新開発相次ぐＧａＮパワーデバイスの概要・最新動向と応用及び今後の展望 |
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独立行政法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ＧａＮパワーデバイスチーム長 清水 三聡氏 １２月１５日 ９：４０～１０：４０ |
省エネ化への期待からＧａＮパワーデバイスは高効率電源用のスイッチング デバイスとして注目を浴びている。
しかし 価格重視の電源技術の実情や市 場規模に合った開発を行う必要がある。 近年ＧａＮ結晶をＳｉ基板上に成長す る技術が開発され､ＧａＮパワーデバイスの低価格化が可能になり､実用化が 期待されている。 本講演では、従来から用いられてきたＳｉデバイスと、同じワイドバンドギャッ プ材料であるＳｉＣを用いたデバイス、及び
ＧａＮデバイスの理論的な比較に ついて述べる。 また 国内外の開発状況や、Ｓｉ基板上のＧａＮ成長技術の特 徴、デバイス実用化における研究開発課題などについて述べる。 １．国内外の開発状況 ２．ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉデバイスの理論的比較 ３．Ｓｉ基板を用いたＧａＮ成長技術の特徴 ４．電源技術としての課題 〈質疑応答〉 |
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高耐圧縦型デバイス向けＧａＮウェハの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
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日立電線㈱ 技術研究所 先端電子材料研究部長 三島 友義氏 １２月１５日 １０：５０～１１：５０ |
ＧａＮ自立基板はこれまで主に光デバイスに用いられてきたが、近年縦型 パワーデバイス用としても注目され研究開発用にニーズが高まっている。 本講では、ＶＡＳ法による高均一低欠陥ＧａＮ自立基板の技術紹介に始ま り、超高速ＨＶＰＥ成長によるスループット向上の検討を紹介する。 更に、 自立基板上にＭＯＶＰＥ法で成長した
ｐ-ｎダイオードの低オン抵抗化・高 耐圧化・大面積化の現状を紹介し､将来ＧａＮ基板上に大型のパワーデバ イスが実現し得る可能性を示唆する。 １．ＶＡＳ法によるＧａＮ自立基板の開発 ２．超高速ＨＶＰＥ成長技術 ３．高耐圧・低オン抵抗ＧａＮ
ｐ-ｎダイオード 〈質疑応答〉 |
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インターナショナル･レクティファイアーにおけるＧａＮパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
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インターナショナル･レクティ ファイアー･ジャパン㈱ 技術部担当部長 藤原 エミリオ氏 １２月１５日 １２：４０～１３：４０ |
ＧａＮベースのパワーデバイスを商品化するにあたっての障壁と､ＩＲの ＧａＮｐｏｗＩＲ技術のブラットフォームが どのようにその障壁を克服した のか及びパワー半導体のアプリケーションにとって新材料であるＧａＮ の持つポテンシャルについて発表します。 また、ＧａＮｐｏｗＩＲ技術の低耐圧ならびに高耐圧のパワーデバイスの 現在のパフォーマンスや､最初の量産製品ｉＰ2010のリリースを可能に した、独自の150mmＳｉウエハーを使った基板によるＧａＮ-ｏｎ-Ｓｉへテ ロエビタキシャル技術についても説明します。 １．ＧａＮベース･パワー･デバイスとは？ ２．ＧａＮベース･パワー･デバイスの商品化の障壁はなにか？ ３．ＩＲのＧａＮベース･パワー･デバイスのパフォーマンス 〈質疑応答〉 |
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ロームにおけるＧａＮパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
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ローム㈱ 研究開発本部先端化合物半導体 研究開発センター研究員 藤原 徹也氏 １２月１５日 １３：５０～１４：５０ |
ＧａＮは、パワーデバイス用途として注目されている。 ロームでは、高速動作かつ高耐圧スイッチング用デバイスとして、 ＧａＮデバイスの開発を行っている。 まず、ＧａＮの高移動度を生かした､高速スイッチング型ノーマリオ ン動作ＧａＮ ＨＥＭＴを紹介する。その後、ＧａＮパワーデバイスに おける課題である ノーマリオフ型ＧａＮデバイスの開発について紹 介する。 １．ＧａＮトランジスタ概要 ２．高速スイッチングＧａＮ
ＨＥＭＴ ３．ノーマリオフ型ＧａＮデバイス (１) 縦型ＧａＮ ＭＯＳＦＥＴ (２) 非極性ｍ面ＧａＮ ＦＥＴ (３) 新規構造ＧａＮ ＦＥＴ 〈質疑応答〉 |
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次世代パワーデバイス技術研究組合におけるＧａＮパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
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次世代パワーデバイス技術研究組合 研究部 主査 池田 成明氏 １２月１５日 １５：００～１７：００ |
ＧａＮを用いた半導体素子は、ＳｉＣと同様に､ワイドバンドギャップ半導体である ことから、従来のＳｉ系素子と比べて優れた特性を示すと期待され、開発が進め られてきている。特に､ＧａＮ系の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、高出力動作、 高周波動作、高温動作が可能であり、さまざまな優れた性能指数をもつ。
その ため、従来のＳｉデバイスでは実現できなかった低損失で小型・高効率な、高性 能の電源を作製できるという期待が高まっている。Ｓｉ基板は､低コストで大口径 な基板が得られることから､ＧａＮを結晶成長させる基板としては､非常に有望な 基板である。近年、エピタキシャル成長技術の進展と共に、平坦な表面をもつ、 比較的厚膜エピ結晶を大口径Ｓｉ基板上に形成できるようになってきた。 我々のグループは、 高移動度で高キャリア濃度を特徴とした二次元電子ガス （２ＤＥＧ）をチャネル層に用いたＳｉ基板上のＨＦＥＴを試作し、２.４ｋＶ以上の耐 圧を達成した。またノーマリオフデバイスとして、ＨＦＥＴのゲート形成領域のみ ２ＤＥＧチャネルをリセスエッチングによって除去し､そこにＳｉＯ２ のゲート絶縁膜 を配してＭＯＳ構造を作りこむ構造を検討してきた。 この “ハイブリッドＭＯＳＨ ＦＥＴ” 構造を用いて、良好なノーマリオフ特性を達成し､低オン抵抗でかつ耐圧 １.７ｋＶ以上の性能を出した素子について詳細に述べる。 １．ＧａＮの応用分野とパワーデバイスの可能性 ２．Ｓｉ上ＧａＮ-ＨＦＥＴの高耐圧、大電流化 ３．Ｓｉパワーデバイスとの動特性比較 ４．ノーマリオフ化の試み ５．ＧａＮパワーデバイスの技術開発動向 ６．まとめと今後の展開 〈質疑応答〉 |
【主催】日本技術情報センター ＴＥＬ 03-3374-4355 ホームページ
http://www.j-tic.co.jp 〔2011年開催〕