機器・装置の大幅な省エネ、小型軽量化を実現する画期的な新技術、新製品の開発相次ぐ!!

実用期を迎えたGaNパワーデバイス

開発・技術動向応用及び今後展開

Siパワーデバイスに比べて、大幅な低損失、高効率、高耐圧、高温動作を可能にする次世代の本命として期待が高まる!!

■日時 12月15日(木)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

9:40〜17:00    東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

新開発相次ぐGaNパワーデバイスの概要・最新動向と応用及び今後の展望

独立行政法人 産業技術総合研究所

先進パワーエレクトロニクス研究センター

GaNパワーデバイスチーム長

 

清水 三聡

 

12月15日 9:40〜10:40

  省エネ化への期待からGaNパワーデバイスは高効率電源用のスイッチング

  デバイスとして注目を浴びている。 しかし 価格重視の電源技術の実情や市

  場規模に合った開発を行う必要がある。 近年GaN結晶をSi基板上に成長す

  る技術が開発され、GaNパワーデバイスの低価格化が可能になり、実用化が

  期待されている。

  本講演では、従来から用いられてきたSiデバイスと、同じワイドバンドギャッ

  プ材料であるSiCを用いたデバイス、及び GaNデバイスの理論的な比較に

  ついて述べる。 また 国内外の開発状況や、Si基板上のGaN成長技術の特

  徴、デバイス実用化における研究開発課題などについて述べる。

 

  1.国内外の開発状況

  2.GaN、SiC、Siデバイスの理論的比較

  3.Si基板を用いたGaN成長技術の特徴

  4.電源技術としての課題

              〈質疑応答〉

高耐圧縦型デバイス向けGaNウェハの開発・技術動向と応用及び今後の展開

日立電線

技術研究所

先端電子材料研究部長

 

三島 友義

 

12月15日 10:50〜11:50

  GaN自立基板はこれまで主に光デバイスに用いられてきたが、近年縦型

  パワーデバイス用としても注目され研究開発用にニーズが高まっている。

  本講では、VAS法による高均一低欠陥GaN自立基板の技術紹介に始ま

  り、超高速HVPE成長によるスループット向上の検討を紹介する。 更に、

  自立基板上にMOVPE法で成長した p-nダイオードの低オン抵抗化・高

  耐圧化大面積化の現状を紹介し、将来GaN基板上に大型のパワーデバ

  イスが実現し得る可能性を示唆する。

 

  1.VAS法によるGaN自立基板の開発

  2.超高速HVPE成長技術

  3.高耐圧・低オン抵抗GaN p-nダイオード

              〈質疑応答〉

インターナショナル・レクティファイアーにおけるGaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

インターナショナル・レクティ

ファイアー・ジャパン

技術部担当部長

 

藤原 エミリ

 

12月15日 12:40〜13:40

  GaNベースのパワーデバイスを商品化するにあたっての障壁と、IRの

  GaNpowIR技術のブラットフォームが どのようにその障壁を克服した

  のか及びパワー半導体のアプリケーションにとって新材料であるGaN

  の持つポテンシャルについて発表します。

  また、GaNpowIR技術の低耐圧ならびに高耐圧のパワーデバイスの

  現在のパフォーマンスや、最初の量産製品iP2010のリリースを可能に

  した、独自の150mmSiウエハーを使った基板によるGaN-on-Siへテ

  ロエビタキシャル技術についても説明します。

 

  1.GaNベース・パワー・デバイスとは?

  2.GaNベース・パワー・デバイスの商品化の障壁はなにか?

  3.IRのGaNベース・パワー・デバイスのパフォーマンス

              〈質疑応答〉

ロームにおけるGaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

ローム

研究開発本部先端化合物半導体

研究開発センター研究員

 

藤原 徹也

 

12月15日 13:50〜14:50

  GaNは、パワーデバイス用途として注目されている。

  ロームでは、高速動作かつ高耐圧スイッチング用デバイスとして、

  GaNデバイスの開発を行っている。

  まず、GaNの高移動度を生かした、高速スイッチング型ノーマリオ

  ン動作GaN HEMTを紹介する。その後、GaNパワーデバイスに

  おける課題であノーマリオフ型GaNデバイスの開発について紹

  介する。

 

  1.GaNトランジスタ概要

  2.高速スイッチングGaN HEMT

  3.ノーマリオフ型GaNデバイス

       (1) 縦型GaN MOSFET

       (2) 非極性m面GaN FET

       (3) 新規構造GaN FET

              〈質疑応答〉

次世代パワーデバイス技術研究組合におけるGaパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

次世代パワーデバイス技術研究組合

研究部

主査

 

池田 成明

 

12月15日 15:00〜17:00

  GaNを用いた半導体素子は、SiCと同様に、ワイドバンドギャップ半導体である

  ことから、従来のSi系素子と比べて優れた特性を示すと期待され、開発が進め

  られてきている。特に、GaN系の電界効果トランジスタ(FET)は、高出力動作、

  高周波動作、高温動作が可能であり、さまざまな優れた性能指数をもつ。 その

  ため、従来のSiデバイスでは実現できなかった低損失で小型・高効率な、高性

  能の電源を作製できるという期待が高まっている。Si基板は、低コストで大口径

  な基板が得られることから、GaNを結晶成長させる基板としては、非常に有望な

  基板である。近年、エピタキシャル成長技術の進展と共に、平坦な表面をもつ、

  比較的厚膜エピ結晶を大口径Si基板上に形成できるようになってきた。

  我々のグループは、 高移動度で高キャリア濃度を特徴とした二次元電子ガス

  (2DEG)をチャネル層に用いたSi基板上のHFETを試作し、2.4kV以上の耐

  圧を達成した。またノーマリオフデバイスとして、HFETのゲート形成領域のみ

   2DEGチャネルをリセスエッチングによって除去し、そこにSiOのゲート絶縁膜

  を配してMOS構造を作りこむ構造を検討してきた。 “ハイブリッドMOSH

  FET” 構造を用いて、良好なノーマリオフ特性を達成し、低オン抵抗でかつ耐圧

  .7kV以上の性能を出した素子について詳細に述べる。

 

  1.GaNの応用分野とパワーデバイスの可能性

  2.Si上GaN-HFETの高耐圧、大電流化

  3.Siパワーデバイスとの動特性比較

  4.ノーマリオフ化の試み

  5.GaNパワーデバイスの技術開発動向

  6.まとめと今後の展開

              〈質疑応答〉

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2011年開催〕

 

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