機器・装置の大幅な省エネ、小型軽量化を実現する画期的な新技術、新製品の開発相次ぐ!!
実用期を迎えたGaNパワーデバイス
の開発・技術動向と応用及び今後の展開
★Siパワーデバイスに比べて、大幅な低損失、高効率、高耐圧、高温動作を可能にする次世代の本命として期待が高まる!!
■日時 12月15日(木) ■会場 メディアボックス会議室 ■受講料 1名につき 39,000円 9:40〜17:00 (東京都新宿区西新宿1-9-18) (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス) |
|
新開発相次ぐGaNパワーデバイスの概要・最新動向と応用及び今後の展望 |
|
独立行政法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター GaNパワーデバイスチーム長 清水 三聡氏 12月15日 9:40〜10:40 |
省エネ化への期待からGaNパワーデバイスは高効率電源用のスイッチング デバイスとして注目を浴びている。
しかし 価格重視の電源技術の実情や市 場規模に合った開発を行う必要がある。 近年GaN結晶をSi基板上に成長す る技術が開発され、GaNパワーデバイスの低価格化が可能になり、実用化が 期待されている。 本講演では、従来から用いられてきたSiデバイスと、同じワイドバンドギャッ プ材料であるSiCを用いたデバイス、及び
GaNデバイスの理論的な比較に ついて述べる。 また 国内外の開発状況や、Si基板上のGaN成長技術の特 徴、デバイス実用化における研究開発課題などについて述べる。 1.国内外の開発状況 2.GaN、SiC、Siデバイスの理論的比較 3.Si基板を用いたGaN成長技術の特徴 4.電源技術としての課題 〈質疑応答〉 |
高耐圧縦型デバイス向けGaNウェハの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
|
日立電線 技術研究所 先端電子材料研究部長 三島 友義氏 12月15日 10:50〜11:50 |
GaN自立基板はこれまで主に光デバイスに用いられてきたが、近年縦型 パワーデバイス用としても注目され研究開発用にニーズが高まっている。 本講では、VAS法による高均一低欠陥GaN自立基板の技術紹介に始ま り、超高速HVPE成長によるスループット向上の検討を紹介する。 更に、 自立基板上にMOVPE法で成長した
p-nダイオードの低オン抵抗化・高 耐圧化・大面積化の現状を紹介し、将来GaN基板上に大型のパワーデバ イスが実現し得る可能性を示唆する。 1.VAS法によるGaN自立基板の開発 2.超高速HVPE成長技術 3.高耐圧・低オン抵抗GaN
p-nダイオード 〈質疑応答〉 |
インターナショナル・レクティファイアーにおけるGaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
|
インターナショナル・レクティ ファイアー・ジャパン 技術部担当部長 藤原 エミリオ氏 12月15日 12:40〜13:40 |
GaNベースのパワーデバイスを商品化するにあたっての障壁と、IRの GaNpowIR技術のブラットフォームが どのようにその障壁を克服した のか及びパワー半導体のアプリケーションにとって新材料であるGaN の持つポテンシャルについて発表します。 また、GaNpowIR技術の低耐圧ならびに高耐圧のパワーデバイスの 現在のパフォーマンスや、最初の量産製品iP2010のリリースを可能に した、独自の150mmSiウエハーを使った基板によるGaN-on-Siへテ ロエビタキシャル技術についても説明します。 1.GaNベース・パワー・デバイスとは? 2.GaNベース・パワー・デバイスの商品化の障壁はなにか? 3.IRのGaNベース・パワー・デバイスのパフォーマンス 〈質疑応答〉 |
ロームにおけるGaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
|
ローム 研究開発本部先端化合物半導体 研究開発センター研究員 藤原 徹也氏 12月15日 13:50〜14:50 |
GaNは、パワーデバイス用途として注目されている。 ロームでは、高速動作かつ高耐圧スイッチング用デバイスとして、 GaNデバイスの開発を行っている。 まず、GaNの高移動度を生かした、高速スイッチング型ノーマリオ ン動作GaN HEMTを紹介する。その後、GaNパワーデバイスに おける課題である ノーマリオフ型GaNデバイスの開発について紹 介する。 1.GaNトランジスタ概要 2.高速スイッチングGaN
HEMT 3.ノーマリオフ型GaNデバイス (1) 縦型GaN MOSFET (2) 非極性m面GaN FET (3) 新規構造GaN FET 〈質疑応答〉 |
次世代パワーデバイス技術研究組合におけるGaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開 |
|
次世代パワーデバイス技術研究組合 研究部 主査 池田 成明氏 12月15日 15:00〜17:00 |
GaNを用いた半導体素子は、SiCと同様に、ワイドバンドギャップ半導体である ことから、従来のSi系素子と比べて優れた特性を示すと期待され、開発が進め られてきている。特に、GaN系の電界効果トランジスタ(FET)は、高出力動作、 高周波動作、高温動作が可能であり、さまざまな優れた性能指数をもつ。
その ため、従来のSiデバイスでは実現できなかった低損失で小型・高効率な、高性 能の電源を作製できるという期待が高まっている。Si基板は、低コストで大口径 な基板が得られることから、GaNを結晶成長させる基板としては、非常に有望な 基板である。近年、エピタキシャル成長技術の進展と共に、平坦な表面をもつ、 比較的厚膜エピ結晶を大口径Si基板上に形成できるようになってきた。 我々のグループは、 高移動度で高キャリア濃度を特徴とした二次元電子ガス (2DEG)をチャネル層に用いたSi基板上のHFETを試作し、2.4kV以上の耐 圧を達成した。またノーマリオフデバイスとして、HFETのゲート形成領域のみ 2DEGチャネルをリセスエッチングによって除去し、そこにSiO2 のゲート絶縁膜 を配してMOS構造を作りこむ構造を検討してきた。 この “ハイブリッドMOSH FET” 構造を用いて、良好なノーマリオフ特性を達成し、低オン抵抗でかつ耐圧 1.7kV以上の性能を出した素子について詳細に述べる。 1.GaNの応用分野とパワーデバイスの可能性 2.Si上GaN-HFETの高耐圧、大電流化 3.Siパワーデバイスとの動特性比較 4.ノーマリオフ化の試み 5.GaNパワーデバイスの技術開発動向 6.まとめと今後の展開 〈質疑応答〉 |
【主催】日本技術情報センター TEL 03-3374-4355 ホームページ
http://www.j-tic.co.jp 〔2011年開催〕