機器・装置の大幅な省エネ、小型軽量化を実現する画期的な新技術、新製品の開発相次ぐ!!

早期普及を目指すSiC基板/パワーデバイス・

モジュー開発・技術動向応用及び今後展開

更なる低損失、高効率、高耐圧、高温動作に向けて6インチSiCウェハ、次世代SiC-SBD/MOSFET等の開発が活発化!!

■日時 12月16日(金)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

9:40〜16:45    東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

新開発相次ぐ次世代SiCパワーデバイス・技術の概要・最新動向と応用及び今後の展望

独立行政法人 産業技術総合研究所

先進パワーエレクトロニクス研究センター

SiCパワーデバイスチーム長

 

田中 保宣

 

12月16日 9:40〜11:10

  産業用モータからスイッチング電源に至るまで、Siパワーデバイスを用いた

  電力変換器の電力損失を削減することは 省エネルギーを実現するための

  喫緊の課題となっている。その中で、SiCをはじめとするワイドバンドギャッ

  プ半導体の果たす役割は大きい。既にSiCショットキーバリアダイオードは

  複数のベンダーから市販されており、その優れた逆回復特性によりPFC回

  路等への活用が急激に進んでいる 一方で、SiCスイッチング素子の実用

  化は遅れているが、ようやく一部ベンダーより供給が開始された。

  本講では、主にSiと比較したSiCパワーデバイスの特徴を説明した後、SiC

  パワーデバイスの開発状況について海外、及び日本でのアクティビティー

  を紹介する。更に、SiCパワーデバイスを用いた変換器試作等の応用研究

  を紹介し、最後に他のワイドバンドギャップ半導体を含めた今後の展望につ

  いて述べる。

 

  1.SiCパワーデバイスの特徴

  2.SiCパワーデバイスの開発状況

       (1) ショットキーバリアダイオード

       (2) 高耐圧PiNダイオード

       (3) MOSFET

       (4) JFET/SIT

  3.SiCパワーデバイス応用

  4.今後の展望

              〈質疑応答〉

低損失パワーデバイスを実現するSiC単結晶基板の開発動向及び今後の展開

新日本製鐵

先端技術研究所

新材料研究部主幹研究員

 

藤本 辰雄

 

12月16日 11:20〜12:50

  低損失・高効率SiCパワーデバイス用のSiC単結晶基板は、単結晶成長

  技術に大きな進展を見せており、単結晶成長プロセスについて現象的理

  解が飛躍的に進んでいる。この情勢を受け、口径100mmの4H-SiC単結

  晶基板が既に主流となりつつあると同時に結晶性改善についても精力的

  な開発を進められている。またデバイス生産効率や大面積デバイス製造

  の要請も高く、次世代150mm基板への期待も高まりつつある。

  本講では、まず、SiC単結晶製造法として主流となっている昇華再結晶法

  の概要について述べ、基板市場の動向および最近の研究成果を踏まえて

  成長技術の課題と開発趨勢について整理する。また、転位欠陥をはじめと

  した基板材料についての今後の展開について述べる。

 

  1.SiC単結晶基板の特徴と開発経緯

  2.昇華再結晶法の概要

       (1) 単結晶成長法の原理

       (2) 転位欠陥

       (3) SiC中のマクロ欠陥

  3.SiC単結晶の加工技術

  4.今後の展望

              〈質疑応答〉

新日本無線におけるSiCパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

新日本無線

技術開発本部

第二開発部第一開発課長

 

新井 学

 

12月16日 13:30〜15:00

  家電や情報機器で消費される電力は、その普及とともに増加の一途である。

  電力が消費されるまでには、発電されてから多数の電力変換器を経て供給

  される。 低炭素社会実現に向けて、この電力変換時に生じる電力損失を低

  減することがますます重要になっている。

  電力損失の低減に高耐圧・低オン抵抗スイッチング素子の開発が盛んであ

  るがダイードをSi-SBDに変更するだけでも電力損失の低減には有効

  である。

  本講では、弊社で開発を進めているSiC-SBDの製造工程とともに、現状を

  紹介する。 また、SiC-SBDの特性が生かせる応用分野とその背景を紹介

  するとともに、課題と今後の展望を述べる。

 

  1.SiCデバイスの技術開発

  2.新日本無線におけるSiC-SBDの開発現状

       (1) SiC-SBDデバイス構造

       (2) SiC-SBD製造プロセス

       (3) SiC-SBDの電気的特性

       (4) ロードマップ、他

  3.SiC-SBDの適用が期待される応用分野

       (1) SiC-SBD応用分野

       (2) 課題と今後の展開

              〈質疑応答〉

富士電機におけるSiCパワーデバイス/モジュールの開発・技術動向と応用及び今後の展開

富士電機

先端技術研究所グリーンデバイス研究部

SiC基礎グループマネージャー

 

米澤 喜幸

 

12月16日 15:15〜16:45

  産総研・アルバックとともに進めているSiC-MOSFET、SBDに関する

  開発状況とFUPETに参画し、産総研と共同研究を進めている、次世代

  のデバイスに関して報告する。

  またパワーデバイス用モジュールに関して述べるとともに、SiCを用いた

  場合の問題点とその対策等に関して報告する。

 

  1.SiCデバイス技術開発

       (1) SiC-SBD

       (2) SiC-MOSFET

       (3) 次世代SiCデバイス

  2.SiCモジュール技術

              〈質疑応答〉

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2011年開催〕

 

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