パワエレ機器の大幅な省エネ、小型・軽量化、高性能化、低電力化、低価格化を実現!!

GaNデバイスパワーエレクトロニクス

機器への応用技術最新事例及び今後展開

GaNパワーデバイスの高性能・低コスト化が進み、携帯・家電・民生機器、EV、スマートグリッド等への応用が活発化!!

■日時 4月20日(金)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

10:10〜17:00   東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

GaNパワーデバイス対応統合設計プラットフォームの開発動向と設計手法及び今後の展開

パナソニック

先端技術研究所

主幹研究員

 

水谷 研治

 

4月20日 10:10〜11:10

  省エネ化への期待からGaNパワーデバイスはパワエレ回路のスイッチング

  デバイスとして注目を浴びている。しかしながら、そのメリットを活かすため

  には熱、ノイズ、電気特性などのトレードオフに注意しながら回路設計を進

  める必要がある。 近年では、シミュレータを含む様々なEDAツールが提供

  されているため、それらを統合的に利用することでこのようなトレードオフバ

  ランスが速やかに決定される可能性がある。

  本講演では、ソフトウェア・グルーイング法によって複数の商用EDAツール

  を実験的に組み合わせた、パワエレ向けの統合設計環境について述べる。

 

  1.統合設計プラットフォームの目的

  2.GaN-GITデバイスモデル

  3.AC/DCコンバータへの適用事例

  4.IPMモータシステムへの適用事例

  5.まとめと今後の展開

              〈質疑応答〉

新開発GaN HEMTの家電・民生機器への応用及び今後の展開

山口大学

大学院理工学研究科

教授

 

田中 俊彦

 

4月20日 11:20〜12:50

  北海道大学、豊田中央研究所および山口大学で共同研究チームを立ち

  上げ、異種接合GaN HEMTを開発し、そのスイッチング特性を詳細に

  評価している。

  ここでは、新開発GaN HEMTの物性的な特長を紹介し、SPICE上で

  デバイスモデルを構成し、民生用IHシステムのAC-ACダイレクトコン

  バータに応用した場合の損失低減効果について報告する。

  さらに、GaN HEMTを高速スイッチング可能なドライブ回路を開発し、

  太陽光発電用パワーコンディショナに応用した例を示す。

  また、新開発GaN HEMTを用いることで、PV用パワーコンディショナ

  が大幅に小型できることを併せて紹介する。

 

  1.新開発GaN HEMTの基本特性

  2.SPICEモデルの構築とAC-ACダイレクトコンバータへの応用

  3.GaN HEMT用高速ドライブ回路とスイッチング動作の評価

  4.PV用パワーラインコンディショナへの応用

  5.今後の課題

              〈質疑応答〉

EV/TV/PC電源におけるGaNパワーデバイスの応用技術と最新事例及び今後の展開

島根大学

電子制御システム工学科

准教授

 

山本 真義

 

4月20日 13:45〜15:15

  大幅な省エネ化が期待できる次世代型ワイドバンドギャップ半導体の中で

  SiCとGaNについては製品レベルのモジュール供給が開始されている。

  しかしながらGANについては具体的なパワーコンバー等への応用事例

  はほとんど報告されていない。

  この背景を受けて今回は、家電民生機器やEVバッリー充電器等へ

  広く使用されている前段にPFンバタと後段にDC-DCンバータを

  組み合わせたAC-DCコンバータシステムに、GaN-FETとGaイオ

  ードを適用した応用例について紹介すたGaN-FETは従来のSi系

  MOS-FETのゲート駆動回路を使用することはできず、今回のシステム

  にはGaN-FETに特化したゲート駆動回路を使用している。この詳細な

  原理と実機評価結果についても併せて紹介する。

 

  1.ノーマリオフ型GaN-FETの紹介

  2.PFCコンバータに適したGaN-FET用ゲート駆動回路

  3.DC-DCコンバータに適したGaN-FET用ゲート駆動回路

  4.GaNデバイスを適用したAC-DCコンバータシステムの性能評価

  5.今後のGaNパワー半導体デバイスの将来戦略

              〈質疑応答〉

ータドライブ/非接触給電/スマートグリッドにおけるGaNパワーデバイスの応用技術と最新事例及び今後の展開

長岡技術科学大学

工学部電気系

准教授

 

伊東 淳一

 

4月20日 15:30〜17:00

  GaN、SiCなどのワイドバンドギャップ半導体はSiでは不可能な高周波

  スイッチングや高温動作が可能になります。このような特長を活かして、

  モータドライブ、高周波電源、スマートグリッド(系統機器)への応用が期

  待されています。

  ここではモータドライブ、非接触給電用の高周波電源、系統機器への

  用とインパクトについて解説します。

 

  1.GaNデバイスの特徴と注意点

  2.モータ駆動分野への応用

       (1) 力率改善回路

       (2) インバータ

       (3) マトリックスコンバータ

  3.磁気共鳴を用いた非接触充電器への応用

       (1) 磁気共鳴の原理

       (2) 高周波インバータ

       (3) 整流回路

  4.電力機器への応用

       (1) マルチレベル変換器

       (2) 電子トランス

              〈質疑応答〉

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2012年開催〕

 

 

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