Siの物性限界を打破する酸化ガリウム、ダイヤモンド、GaN、SiCの最新動向を探る!!

早期実用化を目指す次世代パワーデバイス

開発・技術動向応用及び今後展開

Siに比べ低損失・高耐圧・高出力化、高速・高温動作が飛躍的に向上し、機器・装置の大幅な省エネ、小型・高性能化を実現!!

■日時 5月31日(木)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

9:50〜16:50    東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

GaNパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

古河電気工業

研究開発本部

企画部主査

 

池田 成明

 

5月31日 9:50〜11:50

  GaNを用いた半導体素子は、SiCと同様に、ワイドバンドギャップ半導体である

  ことから、従来のSi系素子と比べて優れた特性を示すと期待され、開発が進め

  られてきている。特に、GaN系の電界効果トランジスタ(FET)は、高出力動作、

  高周波動作、高温動作が可能であり、さまざまな優れた性能指数をもつ。 その

  ため、従来のSiデバイスでは実現できなかった低損失で小型・高効率な、高性

  能の電源を作製できるという期待が高まっている。Si基板は、低コストで大口径

  な基板が得られることから、GaNを結晶成長させる基板としては、非常に有望な

  基板である。近年、エピタキシャル成長技術の進展と共に、平坦な表面をもつ、

  比較的厚膜エピ結晶を大口径Si基板上に形成できるようになってきた。

  我々のグループは、HFETのゲート形成領域のみ2DEGチャネルをリセスエッ

  チングによって除去し、そこにSiOのゲート絶縁膜を配してMOS構造を作りこ

  む構造を検討してきた。 “ハイブリッドMOSHFET” 構造を用いて、良好な

   ノーマリオフ特性を達成し、低オン抵抗でかつ 耐圧 1.7kV以上の性能を出した

  素子について詳細に述べる。

 

  1.GaNの応用分野とパワーデバイスの可能性

  2.Si上GaN-HFETの高耐圧、大電流化

  3.ノーマリオフ化の試み

  4.まとめと今後の展開

              〈質疑応答〉

SiCパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

新日本無線

技術開発本部

第二開発部第一開発課長

 

新井 学

 

5月31日 12:30〜14:00

  シリコンデバイスを使った電力変換機の省エネ化は、その物性から

  限界に近づいている。ワイドギャップ半導体の一つであるシリコンカ

  ーバイドはシリコンデバイスを凌駕する材料として期待されている。

  本セミナーでは、ウェハからプロセス、デバイス、応用まで現状と課

  題について述べる。

 

  1.SiCウェハ、エピウェハ

  2.SiCデバイスプロセス

  3.SiCダイオード

  4.SiC-FET、トランジスタ

  5.アプリケーション

  6.今後の展開

              〈質疑応答〉

ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

佐賀大学大学院

工学系研究科

教授

 

嘉数 誠

 

5月31日 14:10〜15:40

  ダイヤモンドは、最高の絶縁耐圧と熱伝導性を併せ持つ究極のパワー

  半導体である。ダイヤモンドCVD技術の急速な発展により、ウエファー

  技術の開発も進み、実用化も夢ではなくなってきた。

  本講演では、ダイヤモンド半導体の基礎物性とパワーデバイス基本原

  理から、発表者がこれまで研究開発を進めてきた、電気伝導制御のた

  めのドナー、アクセプタ不純物の探索、水素終端ダイヤモンドの正孔伝

  導層の機構解明と高周波デバイス、高温高圧アニールによるイオン注

  入・ダイヤモンド中の不純物の活性化とそれを用いたパワーデバイス、

  ダイヤ基板上にエピタキシャル成長し作製した窒化物(AlGaN/GaN)

  HEMTデバイスまで、最近の世界の研究動向と併せて解説する。

 

  1.ダイヤウエファー・デバイス技術の最近の世界動向

  2.なぜダイヤモンド・パワーデバイスか、基礎物性とデバイス

  3.ダイヤモンド伝導制御(p型、n型)

  4.p型水素終端ダイヤモンドと高周波FET

  5.イオン注入ダイヤモンドとパワーFET

  6.ダイヤ・窒化物ヘテロ成長とダイヤ上窒化物HEMT

              〈質疑応答〉

酸化ガリウムパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開

独立行政法人 情報通信研究機構

未来ICT研究所

超高周波ICT研究室主任研究員

 

東脇 正高

 

5月31日 15:50〜16:50

  酸化ガリウム(Ga)は、そのワイドバンドギャップに代表される物性から、

  新たなパワーデバイス半導体材料として大きな期待が出来ます。

  本講演では、最初にパワーデバイス材料として見た場合のGa の物性面

  での魅力について説明いたします。して、単結晶Ga 基板上でのGa

  薄膜のMBE成長に続いて、最近世界に先駆けてトンジスタ動作実証に成

  功したGa MESFETのデバイス特性について紹介させて頂きます。最後

  に、応用分野も含めた研究開発の今後の展開、可能性についての私見を述べ

  させて頂きます。

 

  1.パワーデバイス半導体材料として見た場合の酸化ガリウム(Ga)の魅力

  2.Ga MBE成長

  3.Ga MESFET

  4.研究開発における今後の展開、応用面での展望

              〈質疑応答〉

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2012年開催〕

 

 

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