<基> 高性能パワーデバイスを効果的に応用できる技術者を育成!!

GaN/SiCデバイスを用いたパワーエレクトロ

ニク機器最適設計技術開発事例及び今後展開

未公開の最先端技術、先進設計法、秘法、最新情報もお教えします》 好評につき第2回開催】

省エネを大幅に実現する新材料GaN、SiCを活用したパワエレ機器設計の基礎から最新設計法、具体例まで詳説!!

■日時 6月21日(木)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

10:00〜16:45   東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

 

●講師

      島根大学

      総合理工学部

      電子制御システム工学科

      准教授

      博士(工学)

 

    山本 真義

 

【経歴・活動】

1998年、博士(工学)授与(山口大学理工学研究科)。サンケン電気株式会社、

日本公務員学校、島根大学総合理工学部講師を経て、現職。

スイッチング電源、車載用電源、LED駆動用電源の研究開発、教育に従事。

島根大学で講義に対する学生アンケートでの評価がトップ。島根大学有料教育

実践表彰受賞。

スイッチング電源技術シンポジウムをはじめ、全国でパワーエレクトロニクス技術

啓蒙のため、年10回以上の活発な講演活動を行う。

テクノフロンティアやオートモーティブワールド等の展示会にも試作電源装置を

展示。2012年には試作した車載用充電器が日経エレクトロニクスにも大きく取

り上げられた。

詳細活動は右記サイトに詳しい。 http://www.pe.shimane-u.ac.jp/

      【講師のお言葉】

      パワーエレクトロニクス技術の根幹はパワー半導体にある。しかしながら、パワー回路専門家はパワー半導

      体スイッチを理想スイッチとして解析し、パワー半導体デバイス専門家は、パワーエレクトロニクス機器全体

      を考ずにデバイス性能のみに特化した開発を行っている。本講習は、パワー回路専門家の立場から、この

      溝を埋めることを目標とする。

      次世代パワーエレクトロニクス技術の中心に、SiCとGaNが台頭してくる。しかしなが、未だパワー回路

      専門家は、その特性を充分理解してパワーエレクトロニクス機器へ適用し、それらの技術、製品を世界戦略

      地図へ展開できてはいない。本講習では最終的に、SiCとGaNが持つポテンシャルを最も活かすことがで

      きる具体的なアプリケーションを掲示し、それぞれの次世代パワー半導体デバイスの将来像を議論する。

      従って、本講習では、最初にパワー半導体デバイスの扱いにおける基本(ゲート駆動回路の基本、その設

      計法、損失導出法)をしっかり習得する。 特にゲート駆動回路の動作については、微分方程式を用いない

      簡単な過渡現象解析手法も提案する。 本手法は電気回路の設計開発に広く応用可能である。 その上で

      次世代パワー半導体デバイスの特徴を理解する。次世代パワー半導体デバイスの代表であるSiCとGaN

      は、その応用分野は全く異なる。SiCとGaNにおけるそれぞれの特徴から、パワー半導体デバイスの立場

      で具体的なアプリケーションを掲示する。

      最後に、次世代パワー半導体デバイスに非常にフィットしているソフトスイッチング技術について学ぶ。ソフ

       トスイッチングの基本を一から学び、特に車載用モータ駆動インバータ、サーバ用三相 FC整流器に適

      用可能な方式について、それぞれの詳細な動作原理を図説し、最後に最新動向を示す。

      本講習は、スライドによる情報だけではなく、技術の基本と本質を理解して頂くため、ノートへの筆記と演習

      の時間も多くとる。当日の参加者の皆様は各自、筆記用具を用意されたい。

      

           1.パワー半導体デバイスの基本

                (1) ゲート駆動回路の基本

                (2) MOS-FETにおけるゲート駆動回路

                (3) ゲート駆動回路の動作原理(過渡現象を用いて解析)

                (4) ゲート駆動回路の損失設計

           2.新材料パワー半導体デバイス

                (1) MOS-FETの基本構造

                (2) GaNデバイスの基本構造

                (3) SiCデバイスの基本構造

                (4) Si系デバイスと新材料パワー半導体デバイスとの性能比較

           3.新材料パワー半導体デバイスの駆動方法

                (1) GaNデバイスのゲート駆動回路(方式1)

                (2) GaNデバイスのゲート駆動回路(方式2)

                (3) SiCデバイスのゲート駆動回路

                (4) GaNデバイスに適した応用事例

                (5) SiCデバイスに適した応用事例

           4.新材料パワー半導体デバイスに したソフトスイッチング技術

                (1) ソフトスイッチング技術の基本

                (2) 三相インバータのソフトスイッチング化

                (3) 三相PFC整流器のソフトスイッチング化

                (4) 次世代ソフトスイッチング技術とその開発事例

                         〈質疑応答〉

 

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2012年開催〕

 

 

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