高出力、高耐圧、高速・高温動作、低損失、冷却不要等でSiC、GaNを凌駕する究極の半導体!!

次世代を担うダイヤモンドパワーデバイ/

ウェ開発・技術動向応用及び今後展開

研究・技術開発の目覚しい進展により実用化への期待高まる。機器・装置の大幅な省エネ、高性能・小型化を実現!!

■日時 6月26日(火)   ■会場 メディアボックス会議室   ■受講料 1名につき 39,000円

9:40〜16:50    東京都新宿区西新宿1-9-18      (消費税込み、テキスト代含む) 昼食弁当付(サービス)

新開発相次ぐダイヤモンド半導体の概要と最新動向

独立行政法人 産業技術総合研究所

ダイヤモンド研究ラボ

研究ラボ長

 

鹿田 真一

 

6月26日 9:40〜11:10

  ダイヤモンドは、熱伝導率、絶縁破壊電界、透光率、弾性定数・硬度、電気

  化学電位窓、化学的安定性などで物質中最高の値を有し、その他多くの極

  めて優れた性能を有する“超物質”である。高出力、高耐圧、高温動作等で

  優れたパワーデバイスとして他材料を凌駕する有望な材料であることが示唆

  され、この数年急速に研究が進展している。ウェハ大型化の道筋も見え、デ

  バイスの実証も進みつつあり、注目度を高めているが、そろそろ企業におい

  ても研究開発に着手する時期に来ている。

  本セミナーのまとめとして、下記総論を述べ、各論への導入とする。

 

  1.ダイヤモンドの特性と今後の行方

  2.材料合成の概要と動向

  3.デバイスの進展概要と動向

  4.今後の課題

              〈質疑応答〉

ダイヤモンド半導体研究の基礎:物性と結晶成長法

独立行政法人 物質・材料研究機構

光・電子材料ユニット ワイドギャップ

機能材料グループ 主任研究員

 

寺地 徳之

 

6月26日 11:20〜12:20

  ダイヤモンド半導体デバイスに期待される高耐圧や高温安定動作といった

  高性能は、ダイヤモンドの優れた半導体物性に由来している。

  本講演では、ダイヤモンドの様々な基礎物性を紹介する。また、デバイス作

  製の礎となるダイヤモンド結晶の化学成長について、高品質化やドーピング

  技術がどこまで進んでいるかを論じる。

 

  1.ダイヤモンド半導体物性

  2.化学気相合成の原理

  3.ドーピングと電気的・光学的特性

  4.まとめと今後の展開

              〈質疑応答〉

ダイヤモンドの熱特性評価技術:高熱伝導性ダイヤモンドの熱伝導測定

独立行政法人 産業技術総合研究所

計測標準研究部門 材料物性科

熱物性標準研究室 研究室長

 

山田 修史

 

6月26日 13:00〜14:00

  ダイヤモンドは固体物質の中で最高レベルの熱伝導特性をもった機能材料

  であり、その応用には熱特性の評価が不可欠となる。

  本講演では、まず固体材料の熱伝導特性評価技術を概観し、微小領域・薄

  膜での応用が多いダイヤモンドの熱伝導特性評価についての計測技術の

  適用性および留意点などについて解説する。

 

  1.固体材料の熱伝導測定技術

  2.微小領域・薄膜を対象とした熱伝導特性の評価技術

  3.ダイヤモンドの熱伝導特性評価への適用

  4.特性評価における留意点、他

              〈質疑応答〉

単結晶ダイヤモンドウェハの開発動向:供給の現状、及び、そのための合成・加工技術について

独立行政法人 産業技術総合研究所

ダイヤモンド研究ラボ

主任研究員

 

山田 英明

 

6月26日 14:10〜15:10

  電気的・光学的・機械的に物質中最高水準の物性値を有する単結晶ダイヤ

  モンドは様々な用途へ期待されており、とりわけ、次世代のパワーデバイス

  応用に期待されている。そのためには、インチサイズウェハ作製技術の確立

  が必要であり、産総研においても独自の技術開発に取り組んできた。

  本講演では、ダイヤモンド供給と作製技術の現状、及び個々の課題につい

  て概説する。

 

  1.ダイヤモンドの供給現状

  2.ダイヤモンドの合成方法

  3.ダイヤモンドの加工手法

  4.技術的課題

  5.まとめ

              〈質疑応答〉

ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向:高速・高温・低損失特性とデバイスプロセスについて

独立行政法人 産業技術総合研究所

ダイヤモンド研究ラボ

主任研究員

 

梅沢 仁

 

6月26日 15:20〜16:50

  ダイヤモンドは他の半導体材料では不可能な優れた材料特性から「究極の

  半導体材料」と言われている。 超低損失デバイス特性を利用した次々世代

  パワーエレクトロニクスや、高温環境での信頼性と優れた性能を併せ持つこ

  とで新たなパワーエレクトロニクス産業の展開が期待されている。

  本講演では、近年活発になっているダイヤモンドパワーデバイスの技術動向

  と課題、および今後の展開について、最先端情報を交えて解説する。

 

  1.ダイヤモンド素子の性能予測

  2.ダイヤモンド素子の構造とプロセス

  3.ダイオードにおける高速・低損失特性と高温性能

  4.スイッチング素子の展開

  5.技術課題

  6.まとめと今後の展開

              〈質疑応答〉

                             【主催】日本技術情報センター  TEL 03-3374-4355  ホームページ http://www.j-tic.co.jp  〔2012年開催〕

 

 

戻る