低コスト、短期開発を実現する高効率設計・解析ツールの開発が相次!!

MEMS開発環境最新動向

デバイス設計技術・事例及び今後展開

トータル設計によるMEMSデバイスの最適化設計・解析技術及び各種の具体的な開発事例について詳!!

■日時 6月14日(火)     ■会場 メディアボックス会議室     ■受講料 1名につき 39,000円

9:30〜16:45       東京都新宿区西新宿1-9-18        (消費税込み、テキスト・昼食代含む)

アドバンストテクノロジーにおけるMEMS開発環境の最新動向とデバイス設計技術・事例及び今後の展開

潟Aドバンストテクノロジー

ソフトウェアサポートグループ

主任

 

平出 隆一

 

6月14日 9:30〜12:00

  1.MEMS用統合解析ツールIntelliSuiteによるMEMS設計

  2.IntelliSuiteによる各種MEMSデバイスの解析例

       (1) 赤外線センサ

       (2) 熱アクチュエータ

       (3) 加速度センサ

       (4) ピエゾMEMS

       (5) 振動型センサ

       (6) ダンピング解析

       (7) マイクロミラー

       (8) RFスイッチ

       (9) BioMEMS(電気泳動)

  3.Ratheon他 RFスイッチ解析事例

  4.有限要素法プログラムAMPSによるMEMS解析事例

  5.IntelliSuiteによる解析デモ

       (1) 静電構造連成解析

       (2) Wet/RIEエッチングシミュレーション

コベンターにおけるMEMS開発環境の最新動向とデバイス設計技術・事例及び今後の展開

コベンター社

シニアアプリケーションエンジニア

 

前木場 秀之

 

6月14日 12:45〜16:45

  1.ジャイロをアプリケーションとして

       (1) はじめに−原理、基礎事項の確認

       (2) 設計パラメータ

       (3) 概念設計−回路シミュレータを用いた設計環境

             (a) スケマティックの作成

             (b) レイアウト検証

             (c) Architectを用いた解析

                  プルイン解析   モンテカルロ解析

                  周波数応答解析   時刻歴解析

                  感度解析   デバイスが反った場合の影響

       (4) 詳細設計

             (a) FEM/BEMを用いた解析

             (b) 要素分割の検証例

       (5) マクロモデルの利用−FEM/BEMの部分データを回路シミュレータに戻す−カスタム化

       (6) パッケージの影響を考慮したデバイスの解析

  2.ウエットエッチングシミュレータ−Etch3D

       (1) エッチャントの選択(KOH、TMAHなど)−エッチャントの濃度および温度の設定

       (2) ウェハの選択(100、110、111など)

       (3) 解析結果

             (a) エッチレート

             (b) 3D形状

             (c) マスクミスアライメントの影響

       (4) エッチ時間の較正

  3.MEMSデバイスの解析事例

       (1) 加速度センサ

       (2) ピエゾ抵抗型圧力センサ

       (3) RFスイッチ

       (4) 可変キャパシタ、インダクタ

       (5) FBAR

       (6) 2軸ミラー

       (7) その他

  4.まとめ

 

戻る