革新的なMEMSを駆使し従来技術では困難、不可能な新型RFデバイスを開!!

超小型・高性能・低電力RF MEMSデバイス

開発・技術動向応用事例及び今後課題・展開

携帯電話、携帯端末、RFID、無線LAN、ミリ波機器・装置等の軽薄短小、高性能・高機能、低電力、低価格化を実!!

■日時 6月17日(金)     ■会場 メディアボックス会議室     ■受講料 1名につき 39,000円

9:45〜16:45       東京都新宿区西新宿1-9-18        (消費税込み、テキスト・昼食代含む)

RF MEMSデバイスの開発・応用動向と設計技術及び今後の展望

立命館大学

理工学部

マイクロ機械システム工学科教授

 

鈴木 健一郎

 

6月17日 9:45〜12:45

  1.MEMSとは

  2.RF MEMSの特徴

  3.RF MEMSの種類

  4.携帯端末機器への応用

  5.RF MEMSの設計

       (1) 抵抗型

       (2) 静電容量型

  6.RF MEMSスイッチ

       (1) 原理と構造

       (2) 作製方法

       (3) 特性

  7.RF受動回路

       (1) コイル

       (2) キャパシタ

  8.RF集積回路

  9.パッケージと信頼性

  10.まとめと展望

ディスセラにおけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の展開

ディスセラ社

バイスプレジデント

川島 晃

 

エム・アールエフ

技術顧問

田村 勝

 

6月17日 13:30〜15:00

  1.ディスセラ社について

  2.ディスセラ社におけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向

       (1) RF MEMSレゾネータ

       (2) RF MEMSオッシレータ

       (3) RF MEMSフィルタ

  3.応用事例

       (1) RF MEMSレゾネータの応用分野

       (2) RF MEMSオッシレータのビデオカメラへの適用事例

       (3) その他

  4.RF MEMSオッシレータに対する今後の展開

       (1) Multi-Frequency化

       (2) VLSI化

  5.今後の予定

富士通研究所におけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の課題

兜x士通研究所

フェロー

 

佐藤 良夫

 

6月17日 15:15〜16:45

  1.開発の背景

       (1) 兜x士通研究所の紹介と保有技術

       (2) 移動通信の動向とRFデバイスの開発方向

  2.FBARフィルタの開発

       (1) 圧電薄膜の選択と製造法

       (2) 電極膜の選択

       (3) キャビティ構造の改善

       (4) 低損失なフィルタ設計法

       (5) 特性評価及びSAWフィルタとの比較

  3.RFスイッチの開発

       構造の特徴と特性

  4.バリアブルキャパシタの開発

       (1) 構造の特徴と特性

       (2) 応用例

  5.今後の課題

 

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