革新的なMEMSを駆使し従来技術では困難、不可能な新型RFデバイスを開発!!
超小型・高性能・低電力RF MEMSデバイスの
開発・技術動向と応用事例及び今後の課題・展開
★携帯電話、携帯端末、RFID、無線LAN、ミリ波機器・装置等の軽薄短小、高性能・高機能、低電力、低価格化を実現!!
■日時 6月17日(金) ■会場 メディアボックス会議室 ■受講料 1名につき 39,000円 9:45〜16:45 (東京都新宿区西新宿1-9-18) (消費税込み、テキスト・昼食代含む) |
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RF MEMSデバイスの開発・応用動向と設計技術及び今後の展望 |
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立命館大学 理工学部 マイクロ機械システム工学科教授 鈴木 健一郎氏 6月17日 9:45〜12:45 |
1.MEMSとは 2.RF MEMSの特徴 3.RF MEMSの種類 4.携帯端末機器への応用 5.RF MEMSの設計 (1) 抵抗型 (2) 静電容量型 6.RF MEMSスイッチ (1) 原理と構造 (2) 作製方法 (3) 特性 7.RF受動回路 (1) コイル (2) キャパシタ 8.RF集積回路 9.パッケージと信頼性 10.まとめと展望 |
ディスセラにおけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の展開 |
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ディスセラ社 バイスプレジデント 川島 晃氏 エム・アールエフ 技術顧問 田村 勝氏 6月17日 13:30〜15:00 |
1.ディスセラ社について 2.ディスセラ社におけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向 (1) RF MEMSレゾネータ (2) RF MEMSオッシレータ (3) RF MEMSフィルタ 3.応用事例 (1) RF MEMSレゾネータの応用分野 (2) RF MEMSオッシレータのビデオカメラへの適用事例 (3) その他 4.RF MEMSオッシレータに対する今後の展開 (1) Multi-Frequency化 (2) VLSI化 5.今後の予定 |
富士通研究所におけるRF MEMSデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の課題 |
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兜x士通研究所 フェロー 佐藤 良夫氏 6月17日 15:15〜16:45 |
1.開発の背景 (1) 兜x士通研究所の紹介と保有技術 (2) 移動通信の動向とRFデバイスの開発方向 2.FBARフィルタの開発 (1) 圧電薄膜の選択と製造法 (2) 電極膜の選択 (3) キャビティ構造の改善 (4) 低損失なフィルタ設計法 (5) 特性評価及びSAWフィルタとの比較 3.RFスイッチの開発 ―構造の特徴と特性 4.バリアブルキャパシタの開発 (1) 構造の特徴と特性 (2) 応用例 5.今後の課題 |