革新的なＭＥＭＳを駆使し従来技術では困難､不可能な新型ＲＦデバイスを開発！！
超小型･高性能･低電力ＲＦ ＭＥＭＳデバイスの
開発・技術動向と応用事例及び今後の課題・展開
★携帯電話､携帯端末､ＲＦＩＤ､無線ＬＡＮ､ミリ波機器･装置等の軽薄短小､高性能･高機能､低電力､低価格化を実現！！
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■日時 ６月１７日(金) ■会場 メディアボックス会議室 ■受講料 1名につき 39,000円 9：45～16：45 （東京都新宿区西新宿1-9-18） （消費税込み､テキスト･昼食代含む） |
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ＲＦ ＭＥＭＳデバイスの開発・応用動向と設計技術及び今後の展望 |
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立命館大学 理工学部 マイクロ機械システム工学科教授 鈴木 健一郎氏 ６月１７日 ９：４５～１２：４５ |
１．ＭＥＭＳとは ２．ＲＦ ＭＥＭＳの特徴 ３．ＲＦ ＭＥＭＳの種類 ４．携帯端末機器への応用 ５．ＲＦ ＭＥＭＳの設計 (１) 抵抗型 (２) 静電容量型 ６．ＲＦ ＭＥＭＳスイッチ (１) 原理と構造 (２) 作製方法 (３) 特性 ７．ＲＦ受動回路 (１) コイル (２) キャパシタ ８．ＲＦ集積回路 ９．パッケージと信頼性 10．まとめと展望 |
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ディスセラにおけるＲＦ ＭＥＭＳデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の展開 |
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ディスセラ社 バイスプレジデント 川島 晃氏 エム･アールエフ㈱ 技術顧問 田村 勝氏 ６月１７日 １３：３０～１５：００ |
１．ディスセラ社について ２．ディスセラ社におけるＲＦ ＭＥＭＳデバイスの開発・技術動向 (１) ＲＦ ＭＥＭＳレゾネータ (２) ＲＦ ＭＥＭＳオッシレータ (３) ＲＦ ＭＥＭＳフィルタ ３．応用事例 (１) ＲＦ ＭＥＭＳレゾネータの応用分野 (２) ＲＦ ＭＥＭＳオッシレータのビデオカメラへの適用事例 (３) その他 ４．ＲＦ ＭＥＭＳオッシレータに対する今後の展開 (１) Multi-Frequency化 (２) ＶＬＳＩ化 ５．今後の予定 |
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富士通研究所におけるＲＦ ＭＥＭＳデバイスの開発・技術動向と応用事例及び今後の課題 |
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㈱富士通研究所 フェロー 佐藤 良夫氏 ６月１７日 １５：１５～１６：４５ |
１．開発の背景 (１) ㈱富士通研究所の紹介と保有技術 (２) 移動通信の動向とＲＦデバイスの開発方向 ２．ＦＢＡＲフィルタの開発 (１) 圧電薄膜の選択と製造法 (２) 電極膜の選択 (３) キャビティ構造の改善 (４) 低損失なフィルタ設計法 (５) 特性評価及びＳＡＷフィルタとの比較 ３．ＲＦスイッチの開発 ―構造の特徴と特性 ４．バリアブルキャパシタの開発 (１) 構造の特徴と特性 (２) 応用例 ５．今後の課題 |